Транзисторы СССР редкие и удачные

Публикую транзисторы по мере их фотографирования и появления в моей коллекции. Куплю транзисторы

Дата добавления информации: 10.09.2023

Биполярный транзистор - трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей - электронами и дырками.

А вот так должно быть

Слева кт808бм (брак без кристалла) - справа кт825г все ок (такой кристалл и подложка должны быть)

Транзистор Моторолла 2N3773, какой кристалл должен быть внутри, подложка для отвода тепла

Транзистор Моторолла 2N3716

Транзистор Моторолла 2N3055

Транзистор Моторолла 2N3773

П307

Транзистор П307 - кремниевый транзистор первый и последний из серии "П"

кт3117а кт3117б, 2т3117а, 2т3117б

кт3117а кт3117б, 2т3117а, 2т3117б

Транзисторы 2Т3117А (кт3317а) кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах специального (общего) назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.

кт3102

Транзисторы КТ3102А-Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры н-p-н усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклян ном корпусе с гибкими выводами.

CBC547B Транзистор биполярный CBC547B - Минск (интеграл) аналог КТ3102Б импортный кристалл

кт3107

Транзисторы КТ3107 (а-л) кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

кт117

Транзистор КТ117 - эпитаксиально-планарный, однопереходный, кремниевый, с базой n-типа. Применяется в маломощных генераторах.

кт342

Транзисторы КТ342В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры н-p-н универсальные. Предназначены для применения в импульсных и других устройствах электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в метал лостекл ян ном корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы кт503е, кт502е (справа)

КТ503Е, Транзисторы КТ503 средней мощности, кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены транзисторы для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.

КТ504А

Транзистор 2Т505Б

Транзистор 2Т506А (слева) КТ506Б (справа)

КТ509А

Попался в руки транзистор кт605б в позолоте, старого исполнения

Транзистор биполярный КТ630В в никеле, в золоте

Транзисторы серии КТ630 кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.

Легендарный массовый транзистор с большим KU КТ630Е

Транзистор КТ630Д

Транзистор КТ633Б

Транзистор 2Т635А (слева) кт635б (справа)

Транзисторы КТ639А

2Т708В

Транзисторы 2Т708 кремниевые мезапланарные структуры р-п-р составные переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

КТ928Б блестящий и крашенный

Транзисторы КТ928 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-п импульсные, высокочастотные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах электронной аппаратуры общего назначения.

Транзистор 2Т830А

2Т831В

Транзисторы 2Т831 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях в электронной аппаратуры специального назначения.

Транзистор СВЧ 2Т974А

Транзисторы серии 2Т974 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-н-р усилительные. Предназначены для применения в импульсных и линейных устройствах и преобразователях. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.

Транзистор 2N2219 и 2N2218 импортные производитель ST Microelectronics

Транзисторы кт704

Транзисторы КТ704А кремниевые мезапланарные структуры н-р-н импульсные. Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.

Транзистор КТ812Б с диодом датчиком температуры

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 1.5...30 МГц при напряжении питания 27 В. Транзисторы 2Т912А, 2Т912Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.

Транзистор КТ947А

Транзисторы КТ947А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры н-p-н генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,1 ...1,5 МГц при напряжении питания 27 В. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.

Транзистор кт921а, 2т921а

Транзистор КТ979А

Комплементарные пары транзисторов 2т825а - 2т827а

Не следует забывать в транзисторах параллельно коллектору и эммитеру установлен защитный диод 100 в, 25 а, 125 вт

Транзисторы КТ825Г кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.

2т825а2 пластик

Комплементарные пары транзисторов кт825г - кт827а

Транзисторы КТ825Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.

Вв транзисторах параллельно коллектору и эммитеру установлен защитный диод, 90в, 20а , 125 вт

Транзисторы СВЧ кт904, 2т920а, кт914а

Транзисторы КТ904А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения.

2Т866А 25 мгц, 20А, 160в, h21э - 15-100

Транзисторы 2Т866А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, источниках вторичного электропитания. Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.

КТ814Г и КТ815Г

КТ816Г и КТ817Г

КТ818Г и КТ819Г

КТ818Г и КТ819Г в металлическом корпусе

Транзисторы КТ818Г(м) и кт819г(м) кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.

КТ8101Б КТ8102А

Транзисторы КТ8101А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n и p-n-p (соответственно), универсальные. Предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения, преобразователях. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

Транзистор КТ826Б

Транзистор кт848а

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ8248А с демпфирующим диодом и резистором в цепи эмиттер-база) предназначены для применения в высоковольтных ключевых схемах телевизионных приемников, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Транзистор КТ840А

Транзистор КТ808АМ

ТК235-63-1-1 транзистор СССР

Транзистор силовой кремниевый. Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом. Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 63А Максимальное напряжение коллектор-база - 100В

Полевые (JFET, MOSFET)

Полевой (униполярный) транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они входят из канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором.

Транзистор КП103В

Транзистор КП301Б

Транзистор полевой КП302Б (слева в маленьком корпусе), транзистор полевой 2П302Б (справа в высоком корпусе)

Полевой транзистор КП303Г в позолоте

Транзистор КП303В в никеле

Транзистор КП505А в пластике

2П909В - транзистор полевой

Транзисторы 2П909В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П909А, 2П909Б, 2П909В предназначены для применения в усилителях и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц, а также в переключающих устройствах. Транзистор 2П909В предназначен для работы в составе гибридных микросхем и используются без фланца. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами и монтажным винтом.

Транзисторы IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) - трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Каскадное включение транзисторов двух типов позволяет сочетать их достоинства в одном приборе: выходные характеристики биполярного (большое допустимое рабочее напряжение и сопротивление открытого канала, пропорциональное току, а не квадрату тока, как у полевых) и входные характеристики полевого (минимальные затраты на управление). Управляющий электрод называется затвором, как у полевого транзистора, два других электрода - эмиттером и коллектором, как у биполярного.

Куплю микросхемы и транзисторы для музея электроники в Au и в позолоте, в никеле, куплю микросхемы

На главную страницу музея

На предыдущую страницу На главную страницу На следующую страницу