Микросхемы серия 530, КМ530, М530, И530
Цена закупки от 1 р - до 25 рублей за корпус, пластмасса, керамика, не паяные с ровными выводами, с хорошо читаемыми надписями.
К155 КР1533 К531 К580 КР580 К565 К573 М533 КР1531 К555
Небольшой ликбез, в таблице желтым помечены дип корпуса керамика с буквой "М", фото будут выставляться по мере попадания микросхем в руки
СЕРИЯ 530 (SN54S)
Тип схемотехнической реализации выполняемых функций: ТТЛШ.
Типовые параметры; время задержки распространения 3 не; удельная
потребляемая мощность 19 мВт/лэ; работа переключения 57 пДж; коэффициент
разветвления по выходу 10; напряжение питания + 5 В.
Выпускается в металлокерамических корпусах с горизонтальным (530, К530)
и вертикальным (М530) расположением выводов типа FP и DIP.
Отклонение напряжения питания от номинального значение
для К530 ±5%;
для 530. М530 ±10%.
Диапазон рабочих температур:
для К530 -10 + + 70°С;
для К530, М530 -60 + +125 °С.
Логические элементы серий 530, 531, SN54S, SN74S явились результатом
совершенствования микроэлектронной технологии, позволившей на рубеже
60-х и 70-х годов начать изготовление в масштабах серийного производства
выпрямляющих контактов металл-полупроводник, известных как переходы
Шоггки.
Единственное схемотехническое отличие от элементов рассмотренного выше
субсемейства заключается в использовании во всех каскадах, кроме
эмиттерного повторителя на VT5, обратной связи. И как не парадоксально,
но это существенное для ИС отличие из принципиальной схемы не
видно (Схема Дарлингтона на VT4, IT5 использовалась и в ранних сериях
ТТЛ, поэтому относить ее к схемотехническому новшеству некорректно.).
Схема базового вентиля серий 530,531, SN54S, SN74S
Объясняется это тем изяществом "И", с которым технологи решили важную для интегральной схемотехники задачу. Металлический слой интегрального n-р-n транзистора, служащий для омического контакта с базой, был продлен в сторону коллектора, образовав с n-областью коллектора переход Шоттки. Таким образом без введения дополнительной технологической операции переход база-коллектор оказался зашунтированным диодом Шоттки. А это и есть та обратная связь, которая позволила в 5 раз сократить время формирования положительного фронта выходного импульса.
Идея использования нелинейной отрицательной обратной связи для повышения
быстродействия транзисторных ключей состоит в следующем. Известно, что
время, затрачиваемое на формирование фронта выходного импульса,
определяется рассасыванием инжектированных неосновных носителей, когда
транзистор переходит из насыщения в область отсечки. Поэтому разумным
является решение предотвратить вхождение транзистора в режим глубокого
насыщения. Это может быть достигнуто путем приложения к участку
база-коллектор запирающего напряжения. В случае, если между базой и
коллектором включить диод Шоттки, подсоединенный анодом к базе, то при
отпирании транзистора на коллекторе в некоторый момент времени
установится потенциал, отпирающий диод Шоттки. Напряжение отпирания
перехода Шоттки 0,4-0,5 В, т.е. меньше, чем падение на переходе
база-коллектор и, следовательно, диод Шоттки откроется раньше чем
переход база-коллектор. Таким образом., коллекторный переход оказывается
запертым и режим насыщения исключается.
Важным достоинством диодов Шоттки, помимо низкого порогового напряжения,
является и то, что в них отсутствует инжекция неосновных носителей. В
связи с чем при выключении не затрачивается время на рассасывание
избыточного за ряда и время их переключения составляет около 0,1 не.
Если бы в качестве элемента обратной связи удалось использовать р-п
переход, то эффект от его применения был бы незначителен, так как опять
потребовалось бы время на рассасывание неосновных носителей.
Возвращаясь к схеме базового вентиля (рис. 1.3) заметим, что замена
антизвонных диодов с р-n переходами на диоды
Шоттки приводит к повышению быстродействия ИС в силу описанных свойств
диодов Шоттки, а применение в качестве нагрузки транзистора VT6 схемы
Дарлингтона на VT4, VT5 приводит к повышению нагрузочной способности и
улучшает динамические характеристики. Причем транзистор VT5 в процессе
функционирования логического элемента в насыщение не входит и по этой
причине перехода Шоттки не содержит.
Также будет указано в каких корпусах и какой производитель выпускал микросхемы, желтым помечено микросхемы с индексом "М" - дип корпус керамика
|
Читать про стабилизаторы серии к142, к1114, к1145, к1168, 286
На предыдущую страницу На главную страницу На следующую страницу